中流985MSE半导体材料专业想申请美国EE MS 转专业去做 IC design方向 求指导？本人中流985MSE半导体材料专业
　　想申请美国EE MS 转专业去做 IC design 方向
　　本科修过电工基础和电子基础 计算机基础 专业课学过半导体物理和半导体器件等课程 目前大四在修模电数电课程
　　论文两篇 一篇关于光电器件的EI
　　另一篇博士师兄带飞的二作带飞（SCi在投中）
　　本科材料科研项目若干 参加过UCLA的网上项目和美国名校教授科研夏令营（光电器件方向）
　　想问一下大家若申请EE下的digital Ic design可以选的学校范围，越具体越好，万分感谢！

托福跟GRE申请名校应该是足够的，GPA稍微低了一点但也不是大问题。 IC design这个方向的水很深呐，估计会继续读PHD吧。
　　所以申请学校的时候就要从学校研究的项目、能否提供奖学金或者RA的职位还有学校的地理位置综合来考虑了吧。
　　首选是加州，UC那一系列的UCB、UCSD、UCLA、UCI主要是地理位置有优势，其中UCSD估计是最难申的，虽然离硅谷远点但是有高通啊，你懂得。还有密歇根安娜堡也是不错跟你的方向也比较对口，ECE招的人也比较多。伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的MS也很好，录取了奖比较好申。当然能不能申请到，除了三围跟标化以外，还要看你学术背景跟论文的含金量。